晶圆级与 RDL

RDL：在芯片表面重新铺路

芯片上的接口太小、太挤、位置不对，电路板接不上。RDL 就是在芯片表面再铺一层细细的铜线，把接口搬到该去的地方。它是 WLCSP、扇出封装、iPhone 处理器封装的核心，也是中介层的前身。

搬位置把四周的焊盘搬到中间，或者把中间的搬到边上。

扇入 · 扇出锡球放在芯片范围内还是范围外，决定了两种封装路线。

连芯片多层 RDL 能在几颗芯片之间直接布线，这就是中介层的雏形。

原理

RDL：在芯片表面"重新铺路"

芯片为什么要封装一页讲过，封装最核心的任务是把 0.05 mm 的芯片焊盘“摊开”成电路板能焊的 0.5 mm。QFN 靠引线框架加金线，BGA 靠多层基板。这一页讲第三种办法：直接在芯片表面画出走线。

RDL = Redistribution Layer，重布线层（也译作再布线层）。它是在芯片做好之后，在芯片表面额外铺的一层或几层铜走线，每层铜线之间用绝缘材料隔开。

它的作用就一句话：把原来位置的焊盘，用导线引到一个新的、更合适的位置，并在新位置做一个新焊盘。芯片内部的电路一点没改，改的只是"出口"的位置。

原焊盘（铝）RDL 铜走线新焊点（凸点 / 锡球）

俯视芯片表面。橙色铜线就是 RDL。每一个原焊盘都对应一个新焊点，一一连通，只是位置变了、间距变大了。

打个比方

一栋老楼的门全开在四周墙上，挤得排长队。物业在大厅里铺了几条走廊，把人从各个门引到大厅中间整齐排开的新出口。楼本身没拆没改，只是加了走廊。RDL 就是这些走廊。

RDL 能干的事，归纳起来有四种：

把边上的焊盘搬到中间（周边 → 面阵），或者反过来，把中间的搬到边上。QFN 内置 DRAM 一页里的 DRAM 就是"中间搬到边上"。

把 50 µm 的密间距拉开到 150 µm、400 µm，让凸点、锡球放得下。

让信号的排列顺序和对面芯片或电路板对齐，避免走线、打线交叉。

多层 RDL 可以直接在两颗芯片之间布线，相当于做一块"超细的小电路板"（扇出、中介层）。

工艺

下面是芯片表面的剖面图（想象把芯片竖着切开看侧面）。点按钮一步一步看，铜线是怎么"长"出来的。这套流程叫半加成法（SAP），是 RDL 最常用的做法。

名词	是什么	为什么需要
PI / PBO	聚酰亚胺等有机绝缘材料，像一层透明的塑料膜	让上下层的铜线互不短路，还能缓冲应力
种子层	溅射上去的极薄钛 + 铜（几百纳米）	电镀需要导电的"底"，铜才能长上去
光刻胶	感光材料，曝光后可以选择性溶掉	当"模具"，决定铜线长成什么形状
电镀铜	把晶圆泡在铜溶液里通电	让铜只在模具槽里长到几微米厚
UBM	Under Bump Metallurgy，凸点下金属层	让锡球焊得牢，并阻挡锡和铜互相"吃"掉

要多层 RDL，就把第 2–7 步重复几遍：一层绝缘、一层铜、再一层绝缘、再一层铜……层与层之间靠通孔（via）连起来。