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首页芯片封装传统封装逐步被替代诞生:2000s 中期
传统封装

PoP 叠层封装·内存叠在处理器头上

手机主板只有巴掌大,处理器和内存又必须挨得很近。PoP(Package on Package)的办法是把两个封装好的芯片上下叠起来焊在一起。它统治了智能手机将近二十年,直到热量和带宽把它逼到了墙角。

省面积内存直接叠在处理器上方,两颗芯片只占一颗的地方。
能分开测试处理器和内存各自封装、各自测好,再叠到一起,坏一颗不连累另一颗。
两个天花板处理器的热要穿过内存才能散出去;内存的线只能走外圈的焊球。
它为什么诞生

手机主板太小,内存又不能离太远

2000 年代中期,彩屏、拍照、上网把手机处理器和内存都变大了,主板却不能跟着变大。

每颗手机处理器(行业叫 SoC,System on Chip,把 CPU、图形、基带等功能做在一颗芯片上)都需要一颗 DRAM 内存放正在运行的程序和数据。处理器干活时一刻不停地读写内存,两者之间的线越短,速度越快、越省电。

早期手机把两颗芯片并排焊在主板上。可到了 2000 年代中期,手机要塞进摄像头、大电池、更大的屏幕,主板面积被挤得越来越小。工程师想到:能不能把内存直接叠在处理器头上?

并排放在主板上 叠起来(PoP) 处理器 内存 内存在上 处理器在下 占地 ≈ 两颗之和,中间还要留走线 占地 ≈ 一颗,主板省出约一半

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要点:PoP 不是让芯片变小,而是把“平面上的两块地”变成“楼上楼下”。省下来的主板面积可以给电池、摄像头和天线。
并排放像两栋平房;PoP 是盖成两层小楼,楼上住内存,楼下住处理器,楼梯就在墙边。

为什么不干脆把两颗芯片封在一个壳里?

还有一种更“彻底”的叠法:把内存芯片直接叠在处理器芯片上,装进同一个封装(这属于 SiP 的芯片堆叠,早期功能手机的多芯片封装就常这样做)。它更薄,为什么旗舰手机反而选择了“叠两个封装”?

  • 可以分开测试。裸芯片很难在封装前完全测好。如果把一颗没测透的内存和一颗昂贵的处理器封在一起,任何一颗坏了,整个封装都得扔掉。PoP 里的两颗芯片各自封装、各自测试合格,再叠到一起。
  • 来自不同公司。处理器由高通、苹果、联发科等设计,内存由三星、SK 海力士、美光等生产。PoP 让双方各做各的封装,交接的只是一个标准化的焊球接口。
  • 可以晚点决定配置。同一款处理器可以在组装主板时,才决定叠 8 GB 还是 12 GB 的内存,甚至换一家内存供应商。
算一笔账假设处理器封装良率 95%,内存良率 97%。封在一起时,成品良率约 0.95 × 0.97 ≈ 92%,每 100 个里约有 8 个要整颗报废,坏一半也得赔上另一半。PoP 先把两边分别筛到接近 100% 合格,再叠在一起,只剩叠焊这一步的损失。
它是怎么工作的

拆开看:楼上内存,楼下处理器

底层封装的“屋顶”上留了一圈焊盘,上层封装的锡球就焊在这圈焊盘上。

剖面:从中间竖着切开(尺寸不按比例) LPDDR 内存芯片 ×2 处理器 SoC(倒装) 1 3 5 6 9 2 4 7 8 10

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  1. 1内存芯片:常见两到四片 LPDDR(手机用的低功耗内存)叠在一起。
  2. 2金线:内存芯片用打线连到上层基板,便宜、成熟。
  3. 3上层塑封:保护内存芯片和金线。
  4. 4上层基板:把内存的信号引到底面外圈的锡球上。
  5. 5叠层焊球:只排在外圈一到三排,这是上下两层之间唯一的通道。
  6. 6穿塑封通孔(TMV):在下层塑封料上用激光打孔,孔里填焊料,让上层焊球“够得着”下层基板。
  7. 7处理器芯片:倒装焊在下层基板上,凸点铺满整个面。
  8. 8下层基板:既要连处理器,又要把外圈来自内存的线接进来。
  9. 9底部锡球:整个 PoP 焊到手机主板,间距约 0.35–0.5 mm。
  10. 10手机主板:多层高密度互连(HDI)板。

关键在第 5、6 号:处理器芯片占了下层封装的中间,所以上层封装的焊球只能落在外圈,绕开中间的芯片。内存发出的每一个信号,都要走“内存芯片 → 金线 → 上层基板 → 外圈焊球 → 下层基板 → 处理器”这条路。这比主板上并排走线短得多,但比芯片之间直接相连还是长不少。

PoP 的几代变化

PoP 最难的地方,是让上层的焊球“跨过”下层的处理器芯片。芯片有厚度,焊球就得足够高;焊球高了就得做大,做大了就排不密。二十年来的改进,基本都是在解决这个矛盾:

1. 早期 PoP(2000s 中期)

下层芯片外露,上层用大焊球直接跨过去。球大,间距约 0.65–0.5 mm,外圈只能排一两排,连接数有限。

2. 穿塑封通孔 TMV(约 2008 年起)

下层先整体塑封,再在塑封料上激光打孔、填焊料。上层焊球可以变小、变密(约 0.4 mm 间距),塑封料还让下层更不容易翘。

3. 中介层 PoP(2010s)

在下层芯片上方再加一层薄基板(橙色,叫中介层),四周用铜柱或焊球连下去。上层封装的焊球就能铺满整个面,不必挤在外圈。代价是更厚、更贵。部分安卓旗舰据报道用过这种结构。

TIV 铜柱 RDL(黄色)代替基板

4. InFO-PoP(2016 年 A10 起)

台积电的扇出封装:下层没有基板,处理器嵌在塑封料里,下面直接做几层 RDL 走线;塑封料里预先竖起铜柱(TIV),给上层内存当“楼梯”。更薄,散热也更好。

  1. 2000s

    日本、芬兰等地的手机厂商与封装厂开始在手机里使用叠层封装;约 2005 年前后,JEDEC 等组织为 PoP 的外形和焊球位置制定了标准,内存厂可以按统一接口供货(具体年份各资料说法略有出入)。

  2. 2007

    初代 iPhone 的处理器据拆解采用 PoP,内存叠在三星制造的处理器之上。此后的 iPhone 一直沿用叠层结构。

  3. 2008

    约 2008 年前后,Amkor 等封装厂推出穿塑封通孔(TMV)PoP,叠层间距从约 0.5 mm 走向 0.4 mm。

  4. 2016

    iPhone 7 的 A10 处理器首次采用台积电 InFO-PoP,去掉了下层基板。据报道这是台积电拿下苹果处理器独家代工的重要原因之一。

  5. 之后

    2016–2025 年的 A 系列处理器据拆解都沿用 InFO-PoP;安卓旗舰多使用基板式 PoP,内存也从 LPDDR4 升级到 LPDDR5X。

  6. 2026

    据报道和初步拆解,A20 Pro 改用 WMCM:内存不再叠在上方,而是和处理器并排放进同一片塑封料,见 A20 Pro。

怎么叠焊:一次回流焊好两层

PoP 通常不是在封装厂叠好再卖,而是在手机组装厂的贴片线上现场叠。两层封装加上主板,一次通过回流炉,同时焊好:

1印锡膏,放下层

主板焊盘上印锡膏,贴片机把处理器封装放上去。

助焊剂薄层

2上层蘸助焊剂

吸嘴吸起内存封装,让焊球在一盘薄薄的助焊剂里“点”一下,叫 dip-in-flux。

3叠上去

对准下层封装顶面外圈的焊盘放下。此时什么都没焊,全靠助焊剂的黏性“粘”住。

4一次回流

整块主板过回流炉(无铅焊料峰值约 240–250 °C),上下两层焊点同时熔化、同时凝固。

它解决了什么问题

面积、距离、分工,一次搞定

和“并排放在主板上”相比,PoP 在手机里几乎全面占优。

处理器和内存并排焊在主板上PoP 叠层
主板面积两颗之和,还要留走线约一颗,省出约一半
内存走线长度十几毫米,在主板里绕几毫米,上下穿过封装
主板布线难度几十根高速线要在主板上并行走,容易互相干扰内存信号不经过主板,主板简单一些
测试与分工各自封装、各自测试同样各自测试,保留了这个好处
换内存容量容易也容易,组装时选不同的上层封装
散热两颗各自散热热量叠在一起(见下一节)

这就是为什么从 2000 年代后期到 2020 年代,几乎所有智能手机的主处理器都采用了 PoP 或它的变种。它用很低的代价,同时满足了“小”“快”“能分工”三件事。

它的缺陷

翘曲、热量、外圈焊球

两层小楼看起来省地方,可楼上楼下互相拖累。

1. 翘曲:两块饼干受热弯得不一样

封装由塑封料、基板、硅等好几种材料粘成,它们受热膨胀的快慢不同,所以封装加热时会像饼干一样弯起来,这叫翘曲。一颗封装弯一点问题不大,可 PoP 是两颗封装面对面焊在一起:如果上层往一个方向弯、下层往另一个方向弯,外圈的焊球就会被拉开,焊料熔化时够不着对面,形成开路,或者只是“搭”在一起没有真正融合(叫枕头效应,head-in-pillow,像头枕在枕头上,贴着但没长在一起)。拖动温度看看:

25 °C
上层:内存封装 下层:处理器封装(翘曲已放大很多倍,示意)
下层翘曲(正值 = 中间拱起)−10 µm
上层翘曲+5 µm
外圈焊点未熔化

数字为示意,真实产品的翘曲随材料和尺寸不同。

行业的对策包括:用 JEDEC 规定的方法(如 JESD22-B112)在加热过程中实测翘曲;让上下两家封装厂协调材料,使两层“弯得一样”;用 TMV 或中介层让下层更硬;以及在焊盘上加更多焊料,给缝隙留余量。

2. 热量:处理器被“捂”在内存下面

处理器是手机里最热的东西,满载时可能有好几瓦热量要散出去。可在 PoP 里,处理器头顶正压着内存,热量只能穿过内存封装,再传到手机的金属中框或均热板。

内存偏偏又怕热。DRAM 靠电容存数据,电容会慢慢漏电,需要定期“刷新”。温度越高漏得越快,一般超过约 85 °C 就得把刷新频率加倍,更费电、更占带宽。于是处理器热,把内存烤热;内存热,又让处理器不得不降频。手机玩大型游戏时“越玩越卡”,部分原因就在这里。

PoP:热量穿过内存 并排(如 WMCM):直接往上散 均热板 / 中框 内存(被烤热) 处理器 两层叠在一起,热阻大,内存温度高 均热板 / 中框 处理器 内存 处理器上方没有遮挡,内存也不被烤

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示意:橙色箭头是热量的路径。PoP 里,热量要先穿过内存封装的塑封料和基板;并排结构中,处理器的背面可以更直接地贴近均热板。

3. 带宽:内存的线只能走外圈

上层焊球只能排在下层芯片的四周,这又回到了倒装芯片那一页讲过的“周长问题”:焊球数量受周长限制,而且间距约 0.3–0.5 mm,远比芯片上的凸点粗。下面算一算一颗 14 mm 见方的 PoP 外圈能排多少球:

处理器区域 (约 9 mm,不能放球)
外圈焊球总数—
粗略估计可作数据线的(约一半,其余供电、接地、控制)—
对比:一叠 HBM 内存的数据线1024 根以上

示意计算:封装 14 mm 见方,外留 0.5 mm 边,中间约 9 mm 是处理器区域。

几百颗球听起来不少,但手机内存的总线宽度一般只有 64 位左右(比如 4 个 16 位通道),再要加宽就塞不下了。想要更高的带宽,只能把每根线跑得更快:从 LPDDR4 到 LPDDR5X,单根线的速率翻了好几倍,可越快越难,也越费电。HBM 走的是另一条路:线多到上千根,每根跑得慢一点,但这需要芯片和内存并排放在中介层上,PoP 结构做不到。

优点

  • 省主板面积,约一半
  • 内存离处理器近,比主板走线短得多
  • 处理器和内存各自测试,良率损失小
  • 不同厂商分工,接口标准化
  • 组装时才决定内存容量,供应灵活

缺点

  • 处理器的热量要穿过内存,散热差
  • 内存被烤热,刷新更频繁、更费电
  • 两层翘曲不匹配,容易开路或枕头效应
  • 互连只能走外圈焊球,总线宽度受限
  • 整体更厚,叠焊多一道工艺风险
现状与未来

旗舰手机开始“拆楼”:从叠放到并排

PoP 仍是大多数手机的主流,但最顶级的芯片开始转向并排。

到了 2020 年代中期,手机里跑起了本地 AI 模型。AI 计算特别“吃”内存带宽,又特别发热,PoP 的两个天花板同时被撞上了。

据公开报道和初步拆解,苹果 2026 年的 A20 Pro 改用台积电的 WMCM(晶圆级多芯片模块):内存不再叠在处理器上方,而是和处理器并排嵌在同一片塑封料里,下面共用一套 RDL 走线。处理器头顶不再压着内存,热量可以直接往上散;内存的线也不必挤在外圈焊球里,可以在 RDL 里横着走过去。代价是占的面积变大,部分抵消了当年 PoP 省下的地方。另有报道称,标准版 A20 可能仍用 InFO-PoP。

PoP 两个封装上下叠 SiP 芯片堆叠 一个封装里叠裸片 WMCM 并排,共用 RDL HBM + 中介层 AI 芯片的做法 紫色 = 内存,蓝灰 = 处理器 / GPU,红虚线 = 内存信号在封装内横向走线(示意,不按比例)

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PoP(含 InFO-PoP)SiP 芯片堆叠WMCM(A20 Pro)HBM + 中介层
内存在哪另一个封装,叠在上方裸片叠在处理器上,同一封装裸片或颗粒,并排在同一塑封料里多层内存堆叠,并排在中介层上
怎么连外圈焊球 + 通孔 / 铜柱金线(或硅通孔)RDL 横向走线中介层上的微凸点和细线
连接数量级几百几十到几百据报道明显多于 PoP(具体未公开)每叠上千根数据线
内存带宽(量级)约 50–80 GB/s(LPDDR5/5X,64 位)低,多用于低端芯片高于 PoP,具体规格仅有爆料每叠约 1 TB/s 以上(HBM3E)
主板面积最小最小较大很大(AI 芯片不在乎)
散热差,热量穿过内存差好,处理器上方无遮挡好,有大散热器
分开测试能,最大优点难,必须用已知合格裸片要求已知合格的内存要求已知合格的 HBM
代表多年 iPhone、大部分安卓旗舰功能手机、物联网芯片,见 QFN 内置 DRAMA20 ProCoWoS 上的 AI GPU
主流手机

PoP 还会用很久

中端和大多数旗舰手机里,PoP 依旧便宜、成熟、供应链完整。它不会在一两年内消失。

顶级手机

并排 + 扇出

A20 Pro 的 WMCM 之后,其他手机芯片厂商是否跟进,要看散热和带宽的压力有多大,以及成本能否接受。

内存

更宽的接口

据报道,下一代 LPDDR6 以及面向 AI 的宽接口移动内存都在讨论之中;接口越宽,越不适合挤在 PoP 的外圈焊球里。

更远的未来

内存直接叠在芯片上

用混合键合把内存和逻辑芯片面对面贴合,连接数可以再多几个数量级,但散热和成本问题更难,见未来。

身边的例子

你的手机里大概率就有一颗

身边的例子拆开一部近十几年的智能手机,主板上最大、最厚的那颗黑色芯片,表面常印着内存厂商(三星、SK 海力士、美光)的标志和型号,其实它是上层的内存,处理器被压在它下面。从初代 iPhone 到 iPhone 17 系列,以及大多数安卓旗舰,主处理器都采用 PoP 或 InFO-PoP(据拆解报道)。一些平板电脑和智能手表也用类似结构。
进阶 · 为什么电脑不用 PoP笔记本和台式机主板空间大,处理器发热又高得多(几十到上百瓦),把内存叠在上面会让散热无法接受。所以电脑要么用内存条,要么像部分笔记本芯片那样,把内存颗粒并排放在处理器封装的基板上。

自测一下

1. PoP 和“在一个封装里叠芯片”相比,最大的好处是什么?

处理器和内存可以各自封装、各自测试合格后再叠在一起,坏一颗不会连累另一颗;双方厂商也能各做各的,组装时再选内存容量。

2. 为什么上层内存的焊球只能排在外圈?

下层封装的正中间是处理器芯片,焊球必须绕开它,只能落在四周。这让连接数受周长限制。

3. 什么是枕头效应?

回流时上下两层封装翘曲方向不同,外圈焊球被拉开,熔化的焊球只是贴着对面的焊料,没有真正融合,就像头枕在枕头上。冷却后看起来连着,其实一碰就断或接触不良。

4. InFO-PoP 比传统 PoP 改进在哪?

下层去掉了基板,处理器嵌在塑封料里,下面直接做 RDL 走线,上下靠塑封料里的铜柱(TIV)连接。整体更薄,散热和电气性能更好。

5. A20 Pro 为什么不再把内存叠在处理器上?

主要是散热和带宽:叠放时处理器的热要穿过内存,内存的线只能走外圈焊球。并排的 WMCM 让处理器上方直接散热,内存信号也能在 RDL 里横向走更多、更短的线。代价是面积更大。

资料来源

延伸阅读

PoP 早期年份、各代间距和带宽数字为公开资料中的典型值;A20 Pro 的内存规格和 WMCM 细节目前只来自报道和初步拆解,图中画法仅为示意。

图中尺寸除特别说明外均为示意,不按真实比例。年份与数值为行业常见说法或公开报道,具体以厂商资料为准。 内容更新至 2026-10。